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半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

标 准 号: SJ 20012-1992
替代情况:
发布单位: 中华人民共和国机械电子工业部
起草单位: 中国电子技术标准化研究院
发布日期: 1992-02-01
实施日期: 1992-05-01
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更新日期: 2025年07月21日
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内容摘要

本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。级).

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