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半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

标 准 号： SJ 20013-1992
替代情况：
发布单位： 中国电子工业总公司
起草单位： 中国电子技术标准化研究所
发布日期： 1992-02-01
实施日期： 1992-05-01
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更新日期： 2025年07月21日
下载地址：点击这里 278.10KB
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内容摘要

本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。

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