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用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法

标 准 号： T/CASAS 034-2024
替代情况：
发布单位： 第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位： 浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、广东工业大学、工业和信息化部电 子第五研究所 等
发布日期： 2024-09-30
实施日期： 2024-09-30
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更新日期： 2025年05月14日
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内容摘要

本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。


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