本标准规定了微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定方法。
本标准适用于微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法　可焊性、耐焊性试
验》。
本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８相比，主要有如下变动：
———范围去除“非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用”内容；
———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定；
———将原标准厚膜隧道烧结炉，温度范围为室温～１０００℃。改为：厚膜隧道烧结炉，最高使用温度为１０００℃，控制精度在±５℃；
———将原标准控制焊料熔融温度为２３５℃±５℃改为：根据不同的焊料确定温度；
———将原标准“浸入和取出速度为（２５±５）ｍｍ／ｓ”删除；
———将原标准“导体浸入焊料界面深度为２ｍｍ”改为“导体浸入焊料界面深度为２ｍｍ 以下”；
———将原标准“浸入时间为５ｓ±１ｓ。浸入时间为１０ｓ±１ｓ”改为“浸入时间根据不同浆料”确定；
———将原标准８．１．１中“在放大镜下观察，若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于９５％，则为可焊性好，小于９５％为可焊性差”修改为“在放大镜下观察，若基片印刷图案导电膜接受焊
锡的面积不小于图案面积的９／１０，则为可焊性好，小于９／１０为可焊性差”；
———将原标准８．１．２中“基片印刷图案若有５％未焊的面积集中在某一角，则可焊性差”修改为“基片印刷图案若有１／５未焊面积，则可焊性差”。