安全管理网
会员中心
加入VIP
微信
客服微信 网站公众号
用户名:
密 码:
Cookie:
不保存
保存一天
保存一月
保存一年
忘记密码
安全新闻
安全法规
安全管理
安全技术
事故案例
操作规程
安全标准
安全教育
环境保护
应急预案
安全评价
工伤保险
职业卫生
文化
|
健康
管理体系
文档
|
论文
安全常识
工 程 师
安全文艺
培训课件
管理资料
煤矿
化工
建筑
机械
电力
冶金
消防
交通
特种
论坛
活动
视频
问答
投稿
MSDS
签到
超市
招聘
动态
法规
管理
技术
案例
超市
标准
课件
签到
教育
规程
预案
评价
工伤
职业卫生
环保
健康
体系
文档
论文
常识
工程师
文艺
视频
现行
导航:
安全管理网
>>
安全标准
>>
行业标准
>>
电力能源
>>正文
半导体分立器件 CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
标 准 号:
SJ 50033/84-1995
替代情况:
发布单位:
电子工业部
起草单位:
发布日期:
1995-05-25
实施日期:
1995-12-01
点 击 数:
更新日期:
2025年04月15日
下载地址:
点击这里
142.38KB
下载点数:
30点(VIP会员免费)
内容摘要
本规范适用于器件的研制、生产和采购。
下一篇:
半导体分立器件.CS139型硅P沟道MOS增强型…
上一篇:
半导体分立器件 3DK106型NPN硅…
下载地址(请点击下面地址下载)
下载地址1
*本标准来自网友 luyingwyh 分享,只作为网友的交流学习之用。
Tag:
安全标准
.
晶体管
.
半导体
相关内容
燃气燃烧器具用电安全通用技术要求
住宅项目规范(附条文说明)
室内装饰装修材料 人造板及其制品中甲醛释放限量
TES1-01212TT温差电致冷组件规范
军用集成电路用微晶玻璃基片
网友评论
more
电力能源最新内容
06-23
TES1-01212TT温差电致冷…
06-23
军用集成电路用微晶玻璃基片
06-23
电子器件用钨丝规范
06-23
电子器件用钼杆、钼丝、钼片规范
06-23
军用覆铂钼丝规范
06-23
银电镀层总规范
06-23
银和银合金镀覆层厚度测量方法 X射…
06-23
银和银合金镀覆层测试方法 残留盐分…
电力能源热点内容
67533
电业安全工作规程(发电厂和变电所电…
61969
电力生产企业安全设施规范手册
40517
电力建设安全工作规程第1部分:火力…
34816
电业安全工作规程(电力线路部分)
33744
火力发电厂设计技术规程
29349
工业企业照明设计标准【作废】
22510
《建筑照明设计标准》条文说明
16500
农村安全用电规程【作废】
创想安科
网站简介
会员服务
广告服务
业务合作
提交需求
会员中心
在线投稿
版权声明
友情链接
联系我们