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本标准规定了军用雷达双色指示管用Yl9荧光粉的技木要求和检测方法.本标准适用于检测制作军用雷达双色指示管用Yl9荧光粉。

本规范规定了电容器用铝金属化聚酯薄膜的分类、术语和有留边的电容器用铝金属化聚酯薄膜的技木要求及检测方法。本规范适用于军用电容器用铝金属化聚酿薄膜，其他电容器用铝金属函聚酿薄膜也可参考使用.

本规范规定了电容器用铝金属化聚丙烯薄膜的分类，术玉器和有留边的电容器用铝金属化聚丙烯薄膜的技木要求及检测方法。本规范适用于军用电容器用铝金属化聚丙烯薄膜，其他电这容器用铝金属化聚丙烯薄膜也可参考使用。

本规范规定了电子器件用镍带的要求， 质量保证规定和交货准备等。本规范适用于电子器件用镍带。

本规范规定了电子器件用镍棒、镍丝的要求，质量保证规定和交货准备。本规范适用于电子器件用镍棒、镍丝。

本标准规定了设计生产的设备在电源时序和控制方面能兼容的电源控制接口，其中包括电源控制接n线和可选的紧急断电特俭的定义和描述.本标准适用于军用计算机与外围设备.

本标准规定了信息技木设备静电放电敏感度极限值和试验方法。本标准适用于在一般工作环境中工作的信息技木设备。

本规范规定更对射频(RF)辐射吸收体(微波吸收材料)的要求，质量保证，交货准备。微波吸收材料在以下简称为RAＭ。本规范适用于电子行业制造和使用的微波吸收材料。

本指导性技木文件规定了抑制电源传导干扰和辐射干扰的方法。本指导性技木文件适用于电源的电磁兼容性设计，旨在降低电源的传导和辐射干扰。

本标准适用于器件的研制、生产和采购。 

本标准适用适用于器件的研制、生产和采购。 

本规范适用于器件的研制、生产和采购。

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本规范规定了半导体集成电路JT54LS283型LS-TTL4位二进制超前进位全加器（以下简称器件)的详细要求。

本规范规定了半导体集成电路Jμ8086型微处理器（以下简称器件）的详细要求。

本规范规定了探测剂量率为0.02~0.12cGy/h的Y射线及100~1800脱变数/分·厘米的β射线计数管（简称计数管）的详细要求。

本规范规定了SF—1213型硫化锑视象管的详细要求。

本规范规定了3DK12B~F型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DK36B~H型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DK37B~H型功率开关晶体管的详细要求。每秒器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了~G型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按G1FB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DK38B~H型功率开关晶体管的详细要求。每咱器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3DK222l、3DK2221A、3DK2222和3DK2222A型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和pCT级).

本规范规定了3DG9l8型NPN硅超高频小功率晶体管(以某侧箍器件)的详细婆$b该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3CK3634~3CK3637mPNP硅小功率开关晶体管（以下简称器件)的详细要求。该秒器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

拳巍瘟巍量一2CK28B~H型劝率壳凳晶体管的详细要求;每种器件均按CJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3CT103型反向阻断闸流晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP，GT和GCT级)。

本规范规定了3CT107型反向阻断闸流晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP，GT和GCT级）。