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低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

标 准 号: GB/T 24581-2009
替代情况:
发布单位: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位: 四川新光硅业科技有限责任公司
发布日期: 2009-10-30
实施日期: 2010-06-01
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更新日期: 2020年02月01日
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内容摘要

本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
 

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