1.1 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)尤其适用于硅片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定测定范围为109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2。本标准同样适用于其他半导体材料如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。
1.2 对良好的镜面抛光表面可探测深度约5nm分析深度随表面粗糙度的改善而增大。
1.3 本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素尤其适用于测定以下元素：钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。
1.4 本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数无干扰检测限是元素原子序数的函数其变化超过两个数量级。重复性和检测限的关系见附录A。
1.5 本方法是非破坏性的是对其他测试方法的补充与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。