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低压CMOS压控振荡器设计

文档作者: 徐仁伯        文档来源: 湖南大学物理与微电子科学
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更新时间: 2018年04月10日
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通过对Lc压控振荡器原理的分析,设计了一种新型cHos集成压控振荡器。该电路通过利用振荡器的输出产生高电压来控制开关电容阵列的开启来实现输出频率在不同频段中转换,从而提高输出频率范围和降低相位噪声。电路采用TSMCl8rfI艺,用Cadence的SpectreX:具进行仿真。结果表明:在0.6V的电源电压下,频率覆盖了2.07GHz到2.78GHz,可调控范围约为29%,总功耗约为i.8mW,lMHz频偏处相位噪声约为一120dB/Hz,满足了设计要求.

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