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本标准规定了半导体器件键合用铝丝的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于半导体器件键合用铝丝。

本标准规定了水合三氯化铱的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于化工催化剂及制备其他铱试剂用的水合三氯化铱。

本标准规定了铂钌合金薄膜材料中合金态铂及合金态钌含量的测定方法。 本标准适用于铂钌合金薄膜材料中合金态铂及合金态钌含量的测定。也可适用于铂合金薄膜材料中合金态铂及合金态金属含量的测定。 本标准不适用于单层厚度不大于10nm的层状薄膜。

本标准规定了金属粉末比表面积的测定方法。 本标准适用于金属粉末比表面积的测定。测定范围０．１ｍ２／ｇ～１０００ｍ２／ｇ。非金属粉末及微孔材 料的比表面积测定亦可参照使用。 本标准代替ＧＢ／Ｔ１３３９０—１９９２《金属粉末比表面积的测定　氮吸附法》。 本标准…

本部分代替ＧＢ／Ｔ７７３０．３—１９９７、ＧＢ／Ｔ５６８６．４—１９９８和ＧＢ／Ｔ８６５４．５—１９８８。　本部分是对ＧＢ／Ｔ５６８６．４—１９９８《锰硅合金化学分析方法　磷钼蓝分光光度法测定磷量》、ＧＢ／Ｔ７７３０．３—１９９７《锰铁化学分析方法磷量的测定…

本部分规定了氧化锆及氧化铪中硅含量的测定方法。 本部分适用于氧化锆及氧化铪中硅含量的测定。测定范围：0.005%~0.7%。 本部分代替YS/T568.3-2006《氧化锆、氧化铪中硅量的测定》(原GB/T2590.3-1981)。 本部分与YS/T568.3-2006相比主要变化如下: ---增加了7.1 重复性条…

本标准规定了铝用炭素材料在二甲苯中密度的测定方法。本标准适用于铝用碳素材料在二甲苯中密度的测定。

本标准规定了仲钨酸铵的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存及定货单内容。 本标准适用于生产硬质合金和钨制品等粉末冶金产品用的仲钨酸铵。

本部分规定了氟化铝中氟、铝、钠、硅、铁、硫、磷含量(以F、Al、Na、SiO2、Fe2O3、SO2-4 、P2O5 表示)的测定方法。 本部分适用于氟化铝中氟、铝、钠、硅、铁、硫、磷含量的测定。

本部分规定了氟化铝粉末松装密度的测定方法。本部分适用于氟化铝粉末松装密度的测定。

本部分规定了氟化铝粉末安息角的测定方法。本部分适用于氟化铝粉末安息角的测定。

本标准规定了氟化铝粒度分布的测定方法。本标准适用于氟化铝粒度分布的测定。测定粒径尺寸；150 μｍ/100μｍ/75 μｍ/45 μｍ。

本部分规定了氟化铝中湿存水含量的测定方法。本部分适用于氟化铝中湿存水含量的测定。

本部分规定了氟化铝中硫含量(以硫酸根表示)的测定方法。本部分适用于氟化铝中硫含量的测定。测定范围0.01 %～2.00 % 。

本部分规定了氟化铝原始试样和干燥试样的制备和储存。本部分适用于氟化铝原始试样和干燥试样的制备和储存。

本部分规定了氟化铝烧减量的测定方法。本部分适用于氟化铝烧减量的测定。测定范围；0.20%--8.00%。

本部分规定了氟化铝中铝含量的测定方法。本部分适用于氟化铝中铝含量的测定。测定范围：25.0%～33.3%。

本部分规定了氟化铝中钠含量的测定方法。本标准适用于氟化铝中钠含量的测定。测定范围0.040%～5.00%。

本部分规定了氟化铝中二氧化硅含量的测定方法。 本部分适用于氟化铝中二氧化硅含量的测定。测定范围:0.010%-0.600000 本部分不适用于五氧化二磷含量大于0.02 氟化铝中二氧化硅含量的测定。

本部分规定了氟化铝中三氧化二铁含量的测定方法。 本部分适用于氟化铝中三氧化二铁含量的测定。测定范围:0.01%-0.25%.

本部分规定了氟化铝中硫酸根含量的测定方法。 本部分适用于氟化铝中硫酸根含量的测定。测定范围:0.1000~1.50%.

本部分规定了微电子技术用贵金属浆料中固体含量的测试方法。 本部分适用于各种烧结型和固化型微电子技术用贵金属浆料固体含量的测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法　固体含量测定》。 本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．…

本部分规定了微电子技术用贵金属浆料细度的刮板测定方法。 本部分适用于微电子技术用贵金属浆料细度测定。

本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部…

本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修 订，分为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第４部分。本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中附着力的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料附着…

本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第５部分。 本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中 粘度的测定方法。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—１９９…

本标准代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分），本标准分 为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分规定了微电子技术用贵金属浆料分辨率的测定方法。 本部分适用于微电子技术用贵金属浆料的分…

本标准规定了微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定方法。 本标准适用于微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法　可焊性、耐焊性试 验》。 本部分与ＧＢ／Ｔ１７…

本标准规定了铜精矿中汞含量的测定方法。本标准适用于铜精矿中汞含量的测定。测定范围：0.000 1%～0.050%。

本部分规定了用酸处理后的抗染色吸附能力来评定阳极氧化膜封孔质量的方法。本部分适用于在大气曝晒或腐蚀环境下使用的、具有抗污染能力的阳极氧化膜的生产控制检验。本部分不适用于下列铝合金生成的阳极氧化膜；a)含铜量＞2%、含硅量＞4%的阳极氧化膜；b)重铬酸钾封孔的氧化膜；…